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        Bring light into life!

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        首頁    設備    電注入晶體硅氫鈍化抗光衰減設備
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        電注入晶體硅氫鈍化抗光衰減設備

        本設備的主要功能顯著抑制單晶硅和多晶硅太陽電池的光衰減效應,兼具提升太陽電池轉化效率的功能,提高電池實際發電效益。這里要指出的是,本規格書所指的單晶硅、多晶硅電池或者相應組件的初始光衰減是由于硅片中由于含有硼、氧以及金屬雜質所形成之復合缺陷導致的效應,而非由其他因素例如組件EVA及其他材料老化等因素造成的。

        1.   處理效果

         (1) 轉化效率

        l  常規多晶絕對效率平均提升≥0.05%;

        l  PERC多晶絕對效率平均提升≥0.1%;

        l  常規單晶效率不降低;

        l  PERC單晶效率不降低;

        (2)光衰

        l  常規單晶平均光衰率≤1.0%;

        l  PERC單晶平均光衰率≤1.5%;

        l  常規多晶平均光衰率≤1.0%;

        l  PERC多晶平均光衰率不高于初始值的40%;

        2.   產能

        標準設備的產能滿足:單軌≥3000片/小時;具體其他產能需求要根據客戶的工藝方案決定。


        (注:最終技術指標以簽署的技術協議為準)

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