電注入晶體硅氫鈍化抗光衰減設備
本設備的主要功能顯著抑制單晶硅和多晶硅太陽電池的光衰減效應，兼具提升太陽電池轉化效率的功能，提高電池實際發電效益。這里要指出的是，本規格書所指的單晶硅、多晶硅電池或者相應組件的初始光衰減是由于硅片中由于含有硼、氧以及金屬雜質所形成之復合缺陷導致的效應，而非由其他因素例如組件EVA及其他材料老化等因素造成的。
1. 處理效果
(1) 轉化效率
l 常規多晶絕對效率平均提升≥0.05%；
l PERC多晶絕對效率平均提升≥0.1%；
l 常規單晶效率不降低；
l PERC單晶效率不降低;
(2）光衰
l 常規單晶平均光衰率≤1.0%；
l PERC單晶平均光衰率≤1.5%；
l 常規多晶平均光衰率≤1.0%；
l PERC多晶平均光衰率不高于初始值的40%；
2. 產能
標準設備的產能滿足：單軌≥3000片／小時；具體其他產能需求要根據客戶的工藝方案決定。
（注：最終技術指標以簽署的技術協議為準）
